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FM25V20A-DGQTR功能介紹
FM25V20A-DGQTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了121年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
 
與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V20A-DGQTR以總線速度執(zhí)行寫(xiě)操作。沒(méi)有寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。下一個(gè)總線周期可以開(kāi)始而無(wú)需數(shù)據(jù)輪詢(xún)。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫(xiě)入耐久性。FM25V20A-DGQTR能夠支持1014個(gè)讀/寫(xiě)周期，或比EEPROM多1000萬(wàn)倍的寫(xiě)周期。
 
這些功能使FM25V20A-DGQTR非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，例如數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫(xiě)入周期數(shù)）到要求嚴(yán)格的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的長(zhǎng)時(shí)間寫(xiě)入會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
 
FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供了可觀的好處，可作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線，從而增強(qiáng)了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。該設(shè)備包含一個(gè)只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機(jī)確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+105℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。
 
特征
■邏輯組織為256K×8的2Mbit鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）
•高耐用性10萬(wàn)億（1014）讀/寫(xiě)
•121年的數(shù)據(jù)保留
•NoDelay™寫(xiě)道
•先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
■極快的SPI
•高達(dá)33MHz的頻率
•直接更換串行閃存和EEPROM的硬件
•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■復(fù)雜的寫(xiě)保護(hù)方案
•使用寫(xiě)保護(hù)（WP）引腳進(jìn)行硬件保護(hù)
•使用禁止寫(xiě)入指令進(jìn)行軟件保護(hù)
•適用于1/4、1/2或整個(gè)陣列的軟件塊保護(hù)
■設(shè)備ID
•制造商ID和產(chǎn)品ID
■低功耗
•在33MHz時(shí)有3.0mA有功電流
•400µA待機(jī)電流
•12µA睡眠模式電流
■低壓操作：VDD=2.0V至3.6V
■擴(kuò)展溫度：–40℃至+105℃
■8引腳薄型雙扁平無(wú)引線（DFN）封裝
■符合有害物質(zhì)限制（RoHS）


本文關(guān)鍵詞：串行FRAM  FM25V20A-DGQTR  

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