三星憑借存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾登上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，事實(shí)證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)產(chǎn)業(yè)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓本來(lái)還沒有未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)隨之蒸蒸日上，三星也更加壯大。
　　三星本次憑借自家NAND Flash及DRAM報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢(shì)，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，正是因?yàn)镹AND Flash及DRAM都受惠于智能手機(jī)存儲(chǔ)容量搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。
　　從DRAM角度來(lái)看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、美光及SK海力士等三大陣營(yíng)，但三大廠商已數(shù)年未擴(kuò)產(chǎn)，且正在進(jìn)行制程微縮，使得產(chǎn)能跟不上供給。
　　縱觀NAND Flash市場(chǎng)，在制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D后，產(chǎn)出位元單價(jià)不斷與硬盤(HD)靠近，帶動(dòng)SSD需求增加，不過(guò)又因?yàn)楦鞔笤瓘S在不斷增加3DNAND堆疊數(shù)，使得良率無(wú)法有效提升，這波趨勢(shì)將至少持續(xù)到今年年底，也就說(shuō)明NAND Flash缺貨狀況將持續(xù)到2018年初。
　　事實(shí)上，過(guò)去DRAM產(chǎn)業(yè)皆被PC陣營(yíng)所控制，因此合約報(bào)價(jià)和現(xiàn)貨報(bào)價(jià)都沒有出現(xiàn)過(guò)過(guò)多的漲幅，不過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)后來(lái)面臨產(chǎn)能供給過(guò)剩的困境，歷經(jīng)一波整并潮后，各大廠也才逐漸獲利，三星正是在整并潮后，取得市場(chǎng)龍頭寶座，才能有如此成果。
　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)興起，但邏輯市場(chǎng)卻未能有如此報(bào)價(jià)漲幅。邏輯市場(chǎng)過(guò)去主要依賴英特爾為主的PC市場(chǎng)，從GPU、 CPU或是其他PC零組件，但由于摩爾定律帶動(dòng)制程不斷微縮，在新制程IC放量產(chǎn)出，同時(shí)也使得舊制程IC價(jià)格不斷下跌，雖然隨著摩爾定律帶動(dòng)制程演進(jìn)，新制程IC報(bào)價(jià)也相對(duì)有撐，但不如DRAM產(chǎn)業(yè)具有合約報(bào)價(jià)制度，因此相對(duì)沒有太大幅度的價(jià)格變動(dòng)。
　　在目前后PC時(shí)代，PC市場(chǎng)不斷萎縮，DRAM也并非由標(biāo)準(zhǔn)型DRAM主導(dǎo)，反倒是移動(dòng)型DRAM成為市場(chǎng)主力，在各大物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品不斷增加情形下，利基型DRAM需求也同步攀升，使三星在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)下，單季營(yíng)收甚至是全年?duì)I收也即將超越PC龍頭英特爾，象征PC時(shí)代的榮光已一去不復(fù)返。

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