MRAM在半導(dǎo)體製程嵌入式記憶體的應(yīng)用算是站穩(wěn)腳了，剩下的只是能替代幾層cache的問題。但是最早的MRAM產(chǎn)品是獨(dú)立記憶體的形式，雖然在第一代toggle MRAM－用電流產(chǎn)生磁場、進(jìn)而翻轉(zhuǎn)磁矩－的能源效率不高，寫入電流高，單元面積也大，但是對于要求寫入速度快、永久儲存的利基市場已經(jīng)初試啼聲。
 
隨著MRAM的技術(shù)演進(jìn)，寫入電流大幅下降，需要提供驅(qū)動電流的CMOS也隨之變小，因而密度得以大幅提高。現(xiàn)在Everspin用28nm可以做出1Gb的STT MRAM，介面是現(xiàn)在DRAM常用的DDR4，這意味著它寫入速度已如DRAM一般，在10ns左右，更好的是它毋需定期更新(refresh)，節(jié)省能耗；讀取資料也不是破壞式的，因此也不必再重新寫入資料。
 
就如同一般新科技產(chǎn)品，剛開始時因為成本高，只能先攻取單價高的利基市場。一個典型的MRAM應(yīng)用例子是數(shù)據(jù)中心的獨(dú)立硬碟隨機(jī)陣列(Random Array Independent Disk；RAID)。網(wǎng)路資料上傳時數(shù)據(jù)中心寫入固態(tài)硬碟中NAND的速度很慢，所以需要DRAM當(dāng)資料緩衝記憶體。但是若發(fā)生斷電時，DRAM上正在處理的資料就會流失，對于處理重要數(shù)據(jù)如金融交易是不可承受之重，而這就是MRAM上場的時機(jī)了。去年Everspin發(fā)表的案例研究server storage accelerator道理與此相近。
 
IBM才發(fā)表的19TB SSD，也是用幾片Everspin的1Gb STT MRAM當(dāng)成寫入緩衝記憶體，道理同樣是預(yù)防斷電時的資料流失。它還有另外的好處，一個以DRAM當(dāng)寫入緩衝記憶體的硬碟如果要預(yù)防斷電資料流失，需要加裝超級電容(supercapacitor)，提供斷電后的電源讓DRAM中的資料能順利移轉(zhuǎn)到SSD中的NAND。但是超級電容很貴，超級電容加DRAM的價格便足以支持MRAM的使用。另外，超級電容體積很大，無法裝進(jìn)Intel SSD M.2的規(guī)格，MRAM就沒這問題。
 
MRAM的製程還在快速進(jìn)展之中，目前實驗看到的是，它可以持續(xù)下降到10nm以下，而且寫入電流翻轉(zhuǎn)磁矩的效率還在快速提升，這使得提供寫入電流的CMOS－目前微縮尺寸的瓶頸－得以有效微縮。做MRAM的人總想瓜分DRAM市場，目前在嵌入式的應(yīng)用看來時機(jī)到了。至于獨(dú)立記憶體呢？只能說再假以時日吧！

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