EVERSPIN非易失性存儲器視為極具吸引力的嵌入式技術
2019-12-19 10:48:03
相關研究指出，如果以嵌入式
MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省高達90%的功耗；如果采用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實現更高的位元密度和更小的芯片尺寸，這些功率與面積成本優勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較于傳統的NAND閃存，PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度，更適合在云端對資料進行存儲。
MRAM是一種非易失性存儲技術，從20世紀90年代開始發展。該技術具備接近靜態隨機存儲器的高速讀取寫入能力，快閃存儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠低于DRAM，而且可以無限次地重復寫入。
EVERSPIN公司是 磁性隨機存儲器（MRAM） ）和 集成磁（Integrated Magnetic）產品的全球領導者。并透過持續提升技術與擴展MRAM產品組合來領導業界的發展。提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發性隨機存取存儲器，以協助客戶開發獨特且極具競爭力的產品。主要從事： 磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發和制造工作.目標市場： 儲存、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子
MRAM技術之所以受到業界追捧，原因在于隨著業界持續向更小技術節點邁進，DRAM和NAND閃存(Flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰，MRAM因此被視為有望取代這些內存芯片的獨立內存組件。考慮到MRAM具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技術，適用于取代物聯網(IoT)設備中的嵌入式閃存和3級高速緩存
SRAM。
它不是用來替代閃存的，而是用來處理運算過程中產生的數據。MRAM具有高速讀寫能力，同時也能永久地保存數據，所以它屬于RAM，又能兼顧非易失性。
本文關鍵詞： MRAM
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