下一代企業(yè)級(jí)SSD中基于DRAM的SSD控制器架構(gòu)。 STT-MRAM使SSD設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化占地面積，性能，耐用性和可靠性，同時(shí)降低復(fù)雜性并實(shí)現(xiàn)高級(jí)功能。
 
STT-MRAM可以在SSD中提供更大的寫(xiě)緩沖區(qū)，而保持能量的存儲(chǔ)量卻更少。通過(guò)大大減少停電保護(hù)所需的能量存儲(chǔ)量，可以使用與超級(jí)電容器或電池相反的高度可靠的鋁或鉭電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)能量存儲(chǔ)。消除了對(duì)溫度敏感和有壽命限制的超級(jí)電容器和電池的需求，從而提高了SSD的可靠性和可制造性。這消除了由于使用超級(jí)電容器和電池而產(chǎn)生的其他制造限制或潛在的現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)問(wèn)題。
 
除了掉電保護(hù)之外，在低延遲STT-MRAM中實(shí)現(xiàn)的更大的寫(xiě)緩沖區(qū)可以通過(guò)在允許主機(jī)回壓之前緩沖更多的數(shù)據(jù)來(lái)大大提高正常操作期間的突發(fā)寫(xiě)性能。增加的寫(xiě)緩沖區(qū)大小還可以實(shí)現(xiàn)更多的寫(xiě)合并，從而減少寫(xiě)放大并提高閃存的耐久性。
 
STT-MRAM提供分層FTL的非易失性存儲(chǔ)，并簡(jiǎn)化了控制器設(shè)計(jì)，同時(shí)減少了電源故障后的恢復(fù)時(shí)間。除了支持壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除表之外，STT-MRAM的使用還為本地低延遲CMB實(shí)現(xiàn)提供了持久存儲(chǔ)，同時(shí)減輕了向SSD驅(qū)動(dòng)器添加這種廣泛功能的任務(wù)。EVERSPIN的STT-MRAM現(xiàn)在已經(jīng)投入生產(chǎn)，可以加速SSD的性能，可靠性和密度。


本文關(guān)鍵詞： EVERSPIN

相關(guān)文章：Everspin串口串行mram演示軟件分析

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。