MRAM芯片用備用電池代替SRAM的雄心可能與Microchip Technology最新的EERAM產(chǎn)品形式的舊式現(xiàn)存存儲器競爭。
 
串行外圍設備接口（SPI）EERAM。它針對涉及重復性任務數(shù)據(jù)記錄的應用程序，這些應用程序需要能夠在處理過程中斷電時自動恢復內(nèi)容的功能。此功能將有用的示例包括制造設備和智能儀表。
 
長期以來，解決方案一直是采用帶有電池的SRAM來使內(nèi)存保持斷電的長期解決方案，但這種非易失性串行ram（NVSRAM）解決方案往往是最高的每位價格存儲器選擇，甚至盡管密度往往相對較低。
 
EERAM本質(zhì)上是一個串行SRAM，在器件內(nèi)部的每個單元中都包含非易失性晶體管。與NVSRAM不同，它不需要外部電池。它使用一個小的外部電容器來提供當系統(tǒng)斷電時將SRAM的內(nèi)容移動到非易失性單元所需的能量，這是通過IC監(jiān)視公共集電極上的電壓并自動處理SRAM和SRAM之間的數(shù)據(jù)移動來實現(xiàn)的。必要時使用非易失性存儲器。
 
EERAM產(chǎn)品組合的新增功能包括四種SPI密度，范圍從64Kb到1Mb，與現(xiàn)有的串行NVSRAM相比，可為系統(tǒng)設計人員節(jié)省多達25％的成本。這并不是說不再涉及任何SRAM，而是由電池代替了傳統(tǒng)的電池組合。EERAM使用與串行SRAM相同的SPI和I2C協(xié)議，因此SRAM可以在斷電期間保留內(nèi)容，而無需外部電池。
 
它實際上只是一個全天候運行，整夜運行的SRAM，并且一次又一次地完成其工作。在這種情況下，當電源消失時，我們會捕獲該信息。
     
EERAM的非易失性方面對于用戶是不可見的，并且小容量存儲器件可以滿足幾種日益普遍的情況（例如生產(chǎn)線）的需求，在這種情況下，工作站可能重復執(zhí)行簡單的任務一百萬次。破壞數(shù)據(jù)的斷電可能意味著丟棄物品和延誤，浪費了制造商的時間和金錢。EERAM使線路能夠在恢復電源后立即恢復，因為沒有數(shù)據(jù)丟失。
 
智能電表是另一個例子，因為單戶房屋短時斷電對業(yè)主來說僅意味著幾分錢，但對于公用事業(yè)來說，它是成千上萬戶的幾分錢。當智能電表在通電后又恢復在線時，他們想知道在電表掉電之前要測量多少。
 
如此小容量的內(nèi)存無法解決一些更有趣的問題，例如滿足人工智能和機器學習的需求，或者在時尚的智能手機中支持高分辨率視頻，但是EERAM可能會解決很多問題具有成本效益且更可靠。
 
它適用于許多情況。在這種情況下，是許多公司想要消除的電池，因為它不可靠。EERAM本質(zhì)上與舊的SimtekNoVRAM是相同的技術(shù)，后者是NVDIMM的單片實施。唯一的區(qū)別是它使用SPI或I2C接口。它就像SRAM一樣運行，直到您拉動鏈條。
 
EERAM解決方案可消除電池備份問題的不可靠性，這是MRAM制造商Everspin一直在追求的市場，只是價格與現(xiàn)有解決方案相同。


本文關(guān)鍵詞： MRAM   SRAM

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