PSRAM存儲(chǔ)芯片是常用的外部存儲(chǔ)設(shè)備。具有SRAM接口協(xié)議、給出地址、讀寫(xiě)指令、實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。不需要復(fù)雜的內(nèi)存控制器來(lái)控制內(nèi)存單元來(lái)定期刷新數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的SRAM它由六個(gè)晶體管組成cell，而psram它由一個(gè)晶體管制成一個(gè)電容構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell，因此psram可實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量。
 
串行PSRAM的低引腳封裝和傳統(tǒng)RAM儲(chǔ)存相比，具有尺寸小、成本低等優(yōu)點(diǎn)。串行psram對(duì)外互聯(lián)通過(guò)八路串聯(lián)，最高為200MHz雙倍數(shù)據(jù)速率在速度下，可實(shí)現(xiàn)超3Gbps帶寬傳送。相比較于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器具有更大的帶寬。
 
串行PSRAM選用DRAM架構(gòu)，能有效壓縮芯片體積，串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本，具有成本較低的優(yōu)勢(shì)。psram自刷新無(wú)需刷新電路即可存儲(chǔ)其內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；DRAM每隔一段時(shí)間，刷新充電一次，否則內(nèi)部數(shù)據(jù)就會(huì)消失，psram相比傳統(tǒng)RAM會(huì)有更廣泛的應(yīng)用。
 
PSRAM目前支持的標(biāo)準(zhǔn)有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards，其對(duì)應(yīng)的廠家為apmemory(愛(ài)普科技)。
 
愛(ài)普科技APS6404L該P(yáng)SRAM存儲(chǔ)器器件具有高速，低引腳數(shù)接口。具有4個(gè)SDR I/O引腳，并以高達(dá)144 MHz的頻率在SPI或QPI模式下運(yùn)行。適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用。結(jié)合了無(wú)縫的自我管理刷新機(jī)制。因此它不需要系統(tǒng)主機(jī)支持DRAM刷新。采用小尺寸封裝8引線USON-8L 3x2mm。AP Memory代理商英尚微電子提供驅(qū)動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。

 
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