繼幾家代工廠公開宣布計劃在2017年年底和2018年之前投產磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)后，最近一家代工廠展示了如何通過MRAM為嵌入式應用大幅提升數據保存的能力。

　　
最近在日本舉行的“2017年國際超大集成電路(VLSI)技術、系統和應用研討會”(VLSI-TSA)上，Globalfoundries在發表研究論文時討論了Everspin Technologies隨嵌入式MRAM (eMRAM)轉向22nm制程節點的進展。

　　
Globalfoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston表示，文中強調的重點突破是eMRAM可在攝氏260度下經由回流焊保存數據、持續十多年維持攝氏125度，以及在攝氏125度具有卓越讀/寫耐用性的能力。這將使eMRAM能夠用于通用微控制器(MCU)和汽車SoC。他說：“磁性層一直缺乏熱穩定度。因此，如果數據保存的問題得以解決，就能開啟更廣泛的市場。”

　　
Eggleston表示，雖然MRAM在先前的技術節點展現了非揮發性、高可靠性以及可制造性，但在微縮至2x nm節點以及相容嵌入式存儲器的后段制程(BEOL)溫度時開始面臨挑戰。如文中所述，磁穿隧接面(magnetic tunnel junction；MTJ)堆疊和整合可在攝氏400度、60分鐘的MTJ圖案化熱預算時最佳化，并相容于CMOS BEOL制程。

　　
Eggleston表示，三家主要的代工廠都推出了采用該技術的產品，客戶并選擇了Globalfoundries的制程開發套件(PDK)進行設計。主要的晶圓設備制造商從幾年前開始投入這個領域，因為他們認為它具有充份的商業潛力，因此該工具可用于MTJ的沉積與蝕刻。Eggleston說：“他們已經與像我們這樣的大型晶圓廠以及像Everspin等小型公司聯手，共同投資與開發產品。”

　　
同時，MCU客戶開始專注地研究如何利用MRAM強化其架構。Eggleston說：“他們實現了更快的寫入速度，也具有更高的耐用性。”這讓他們能在以往可能使用靜態隨機存取存儲器(SRAM)的應用開始使用嵌入式MRAM。他指出，以電路的簡單性和制造成本來看，2x nm節點正是該技術的甜蜜點。

　　
Globalfoundries的MTJ堆疊和整合已在攝氏400度、60分鐘MTJ圖案化熱預算時最佳化，并相容于CMOS BEOL制程。

本文關鍵詞：SRAM   MCU  MRAM   Everspin

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